年产20 万片 GaN功率器件晶圆技俩赌钱赚钱app

开发单元：江西万年晶半导体有限公司

开发性质：新建（迁建）

施工工期：12个月

投资总数：250000万元

开发地方：上饶市万年县高新时期产业园区丰充工业园东外环线

技俩主要斥地：RCA 清洗、有机清洗机、酸碱清洗机、步进式光刻机等

技俩大要：技俩以蓝对峙外延片、金属、盐酸、硫酸、硝酸、氢氟酸、去胶液、双氧水、显影液、抛光液、光刻胶等为原辅材料，通过外延片清洗、蚀刻、金属蒸镀、退火、去胶清洗、离子注入、千里积、键合、抛光、去蜡清洗、分选覆按等工序年产2英寸GaN功率器件晶圆20万片

晶帆光电LCOS光阀芯片总部及坐褥基地技俩

开发单元：重庆市晶帆光电科技有限公司

开发性质：新建

施工工期：6个月

投资总数：150000万元

开发地方：重庆市江津区双福工业园

技俩主要斥地：玻璃清洗机、Wafer 清洗机、12 槽自动超声波清洗机、晶圆切割机等

技俩大要：技俩租借位于江津区调和湖数字经济产业园智能制造厂区内已建的坐褥厂房,开发1条LCOS坐褥线，配套购置晶圆切割机、灌晶机、蒸镀机、PI印刷机等坐褥斥地，建成后达到年产LCOS芯片200万片的坐褥范围。

8 吋 MEMS 特色芯片 IDM 产业基地一期技俩（一阶段）

开发单元：奥松半导体（重庆）有限公司

开发性质：新建（迁建）

施工工期：12 个月

投资总数：14亿元

开发地方：重庆高新区西永组团 T 分区T67/05 地块

技俩主要斥地：光刻机、涂胶显影机、蚀刻机、离子注入机等

技俩大要：技俩总占地64553.53m2，建筑面积128935.91m2，购置光刻机、涂胶显影机、蚀刻机、离子注入机、磁控溅射机、PECVD、LPCVD、键合斥地、清洗机等斥地，开发8吋MEMS特色工艺晶圆坐褥线，搭建CIM等信息化系统，月产晶圆2万片。技俩总投资约14亿元，其中环保投资约5000万元，占总投资的3.54%。

高端闪存 UFS4.0 封测时期攻关及产业化技俩

开发单元：华天科技（南京）有限公司

开发性质：扩建

施工工期：3 年

投资总数：100000 万元

开发地方：南京市浦口区浦口经济开发区丁香路 16 号

技俩主要斥地：减薄机、划片机、打线机、植球机等

技俩大要：拟在现存总建筑面积为 5.3 万平常米的厂房内，购置减薄机、划片机、打线机、植球机等斥地 950 台/套，完成要津时期攻关后新建一条高端闪存 UFS4.0 封测产线，预测年产高端闪存 UFS4.0 集成电路 3400 万颗。

第三代氮化镓功率半导体坐褥新建技俩

开发单元：

江门市冠鼎半导体有限公司

开发性质：新建

投资总数：10550万元

开发地方：广东省江门市新会县崖门镇江门通衢南崖门段238号

技俩主要斥地：扩晶机、固晶机、分选机、离子清洗机等

技俩大要：属于新建技俩，年加工第三代氮化镓功率半导体 15KK 件。技俩总投资 10550 万元，租借江门市旭晖纺织有限公司已建厂房，厂房面积为 2630 平常米。

苏州共进微电子时期有限公司扩建传感器芯片封装技俩（从头报批）

开发单元：苏州共进微电子时期有限公司

开发性质：扩建

投资总数：50000万元

开发地方：江苏省苏州市太仓陆渡街说念郑和中路89 号4#厂房

技俩大要：本技俩变动情况为：总投资加多至 50000 万元；把柄工艺特色和先进性条目，本技俩取消“来料清洗、来料漂洗、SMT 贴片、植球、回流、清洗”工段，坐褥斥地数目、型号对照原环评发生变动，且由于不同客户订单条目不同，每一批次传感器芯片尺寸不同，原辅料使用量对照原环评讲述量加多，导致大气轻侮物排放量加多；此外原环评讲述时开发单元探讨将芯片抽检工段依托一期测试技俩进行，后由于步地搁置以及芯片的清洁坐褥条目，开发单元在封装车间新增设一间现实室，用于封装技俩抽样覆按。

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